DDR3 DRAM樣片面世 奇夢達(dá)美光爭得頭彩

　　據(jù)Semiconductor Insights公司的消息稱，奇夢達(dá)和美光科技領(lǐng)先內(nèi)存界領(lǐng)頭羊三星電子，率先推出DDR3 DRAM樣片。

　　Semiconductor Insights公司市場營銷副總裁Jenn Markey表示“比DDR2速度快一倍并且能耗控制更好的DDR3可謂是千呼萬喚始出來。令我們驚訝的是奇夢達(dá)和美光科技這次領(lǐng)先于傳統(tǒng)的技術(shù)領(lǐng)跑者三星率先推出了自己的DDR3芯片。”

　　DDR3的數(shù)據(jù)傳輸速度可達(dá)1600Mb/s，該芯片的電壓將從1.8V降至1.5V，這也將導(dǎo)致內(nèi)存功耗更小，發(fā)熱量更小，在移動系統(tǒng)中能節(jié)省更多的電量。

　　美光科技市場營銷高級主任Bill Lauer表示公司現(xiàn)計劃生產(chǎn)1GB的DDR3芯片，并將于2007年中期開始生產(chǎn)2GB的DDR3芯片。他表示“DDR3是新一代內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)，能夠應(yīng)用在高性能的計算機(jī)上，并且具有低能耗、高數(shù)據(jù)傳輸率，內(nèi)存顆粒密度更高等優(yōu)點(diǎn)�！�

　　Semiconductor Insights公司預(yù)測2007年800HZ的512MB和1GB的DDR3內(nèi)存將會走紅。