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　　最新資料顯示，Intel未來(lái)的雙核心45nm Penryn將集成4億1000萬(wàn)個(gè)晶體管，而現(xiàn)在的 65nm 雙核心 Conroe集成的數(shù)量?jī)H為291M。此外在核心面積方面，盡管Penryn核心面積的相關(guān)數(shù)據(jù)還沒(méi)有正式公布，但從已知的情況來(lái)看，其核心面積為110mm2,比現(xiàn)在的Conroe 核心的 143mm2也小了不少。

　　根據(jù)上面的情況，英特爾未來(lái)的集成兩顆Penryn核心的四核心 Yorkfield 處理器的集成晶體管數(shù)量將達(dá)到 8億2000萬(wàn)個(gè)，而其封裝總體面積也僅于現(xiàn)在的四核心 Kentsfield 是一樣的。 Yorkfield并非英特爾未來(lái)將要推出的原生四核心處理器。目前英特爾計(jì)劃使用三個(gè)廠生產(chǎn)45納米處理器，這三家工廠分別是 D1D Oregon 、 Fab 32和 Fab 28 Israel。 45nm Penryn移動(dòng)版的功耗為35W ，臺(tái)式機(jī)版為65W ，服務(wù)器版則為80W，均小于目前相應(yīng)的主流處理器。

雙核心45nm Penryn內(nèi)部

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