Intel推出6TB容量的3D XPoint內(nèi)存:進(jìn)入TB級時(shí)代

2016-01-07 22:24 出處:其他 作者:超能網(wǎng) 責(zé)任編輯:lijunhai

  Intel去年最重大的科技成果不是推出14nm工藝的Skylake處理器,而是3D XPoint存儲芯片,性能是當(dāng)前水平的1000倍,但它可不是NAND非易失性閃存這么簡單,實(shí)際上能帶來一次電腦革命,因?yàn)樗可以作為DIMM插槽的內(nèi)存使用。Intel準(zhǔn)備在2016年開始推出基于3D XPoint技術(shù)的存儲產(chǎn)品,現(xiàn)在曝光的就是容量高達(dá)6TB的DIMM插槽產(chǎn)品,很快電腦內(nèi)存就能跑步進(jìn)入TB時(shí)代了。

示圖

  DRAM內(nèi)存速度快,性能強(qiáng),但容量小,而且斷電會失去數(shù)據(jù),而NAND閃存容量大,成本低,性能比DRAM內(nèi)存差,但它是非易失性的,斷電后數(shù)據(jù)還在,研發(fā)人員一直在尋找結(jié)合兩種存儲芯片優(yōu)點(diǎn)的產(chǎn)品來取代內(nèi)存。Intel的3D XPoint閃存就具備了這樣的潛力,某種程度上它已經(jīng)模糊了內(nèi)存與閃存之間的界限,前途無限。

示圖

  實(shí)際上Intel也一直在準(zhǔn)備這樣的產(chǎn)品,2016年就會推出基于3D XPoint閃存的Optane硬盤及DIMM插槽格式的產(chǎn)品。在日前的Storage Visions 2016會議上,TweakTown網(wǎng)站有機(jī)會見到Intel開發(fā)的DIMM DDR4插槽的3D XPoint原型產(chǎn)品,如首圖所示。

  Intel會推出很多基于3D XPoint技術(shù)的存儲產(chǎn)品,最高端的就是用于系統(tǒng)內(nèi)存的產(chǎn)品,Intel表示在一套雙路CPU系統(tǒng)平臺上,3D XPoint技術(shù)的內(nèi)存容量可達(dá)6TB。

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